TCET1114G

厂家：: Vishay Semiconductors
封装：: 4-DIP
数量：: 5229
说明：: 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>160-320%

一、本商品被浏览0次.

TCET1114G PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：5000
输出类型：DC
输出设备：NPN Phototransistor
每芯片的通道数量：1 Channel
最大反向二极管电压：6 V
最大输入二极管电流：60 mA
包装形式：Tube
封装形式：PDIP-4
最小工作温度：- 40 C
最大工作温度：+ 110 C
最大功率耗散：265 mW
最大集电极电流：50 mA
最大正向二极管电压：1.6 V
电流传递比：90 %
绝缘电压：5000 Vrms
最大集电极/发射极饱和电压：0.3 V
最大集电极/发射极电压：70 V
输入类型：DC
RoHS：是
产品种类：晶体管输出光电耦合器
制造商：Vishay

以上是TCET1114G的详细信息，包括TCET1114G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他光耦合器/光电耦合器产品：

光隔离放大器高线性光耦合器三极与 SCR 输出光电耦合器晶体管输出光电耦合器高速光耦合器

光电二极管输出光电耦合器最新产品：