T435-800T

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中文参数如下：

工厂包装数量：1000
包装形式：Tube
封装形式：TO-220AB
安装风格：Through Hole
栅触发电流 (Igt)：35 mA
栅触发电压 (Vgt)：1.3 V
保持电流（Ih 最大值）：35 mA
开启状态电压：1.56 V
关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：5 uA
额定重复关闭状态电压 VDRM：800 V
不重复通态电流：31 A
RoHS：是
产品种类：双向可控硅
制造商：STMicroelectronics

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