SUM36N20-54P-E3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
数量:
 7056  
说明:
 MOSFET 200V 36A 166W
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SUM36N20-54P-E3 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:27 ns
工厂包装数量:800
上升时间:170 ns
功率耗散:3.12 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :25 S
下降时间:9 ns
包装形式:Reel
封装形式:TO-263
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.044 Ohms
漏极连续电流:36 A
闸/源击穿电压:+/- 25 V
汲极/源极击穿电压:200 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SUM36N20-54P-E3的详细信息,包括SUM36N20-54P-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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