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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:19 ns
上升时间:33 ns
功率耗散:60 W
栅极电荷 Qg:8.8 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :1.1 V
下降时间:4.2 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-220
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.0114 Ohms
漏极连续电流:48 A
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
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