STP165N10F4

厂家：: STMicroelectronics
封装：: TO-220-3
数量：: 2844
说明：: MOSFET N-Ch 100V 4.1 160A STripFET DeepGATE

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STP165N10F4 PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：315 W
栅极电荷 Qg：180 nC
包装形式：Tube
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：5.5 mOhms
漏极连续电流：120 A
闸/源击穿电压：100 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

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