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STP13NM50N

厂家：: STMicroelectronics
封装：: TO-220-3
数量：: 2970
说明：: MOSFET N Ch 600V 8A Pwr MESH IGBT

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STP13NM50N PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：40 ns
工厂包装数量：1000
上升时间：15 ns
功率耗散：100 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：10 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.32 Ohms
漏极连续电流：12 A
闸/源击穿电压：+/- 25 V
汲极/源极击穿电压：500 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

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