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STP110N55F6

厂家：
  STMicroelectronics
封装：
 TO-220-3
数量：
 6419  
说明：
 MOSFET N-Ch 55V 4.3mOhm 55V STripFET VI
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STP110N55F6-TO-220-3图片

STP110N55F6 PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：150 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：120 nC
包装形式：Tube
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：5.2 mOhms
漏极连续电流：110 A
汲极/源极击穿电压：55 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：STMicroelectronics

以上是STP110N55F6的详细信息，包括STP110N55F6厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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