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STP10N62K3

厂家：: STMicroelectronics
封装：: TO-220-3
数量：: 3432
说明：: MOSFET N-channel 620 V 8.4 A TO-220 TO-22

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STP10N62K3 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：41 ns
上升时间：15 ns
功率耗散：125 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：42 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：6 S
下降时间：31 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：680 mOhms
漏极连续电流：8.4 A
闸/源击穿电压：30 V
汲极/源极击穿电压：650 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

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