点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
典型关闭延迟时间：22 ns
工厂包装数量：4000
上升时间：30 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：0.8 S
下降时间：55 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-223
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：16 Ohms
漏极连续电流：0.25 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：800 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics
以上是STN1NK80Z的详细信息，包括STN1NK80Z厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!
