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中文参数如下：
典型关闭延迟时间：65 ns
上升时间：24 ns
功率耗散：190 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：13 ns
包装形式：Tube
封装形式：I2PAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.079 Ohms
漏极连续电流：33 A
闸/源击穿电压：+/- 25 V
汲极/源极击穿电压：650 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics
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