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STI25NM60ND

厂家：
  STMicroelectronics
封装：
 TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA
数量：
 8298  
说明：
 MOSFET N-Ch, 600V-0.13ohms FDMesh 21A
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STI25NM60ND-TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA图片

STI25NM60ND PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：50 ns
上升时间：30 ns
功率耗散：160 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：40 ns
包装形式：Tube
封装形式：I2PAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.16 Ohms
漏极连续电流：21 A
闸/源击穿电压：+/- 25 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STI25NM60ND的详细信息，包括STI25NM60ND厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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