STI25NM60ND

厂家:
  STMicroelectronics
封装:
 TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA
数量:
 8298  
说明:
 MOSFET N-Ch, 600V-0.13ohms FDMesh 21A
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STI25NM60ND-TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA图片

STI25NM60ND PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:50 ns
上升时间:30 ns
功率耗散:160 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:40 ns
包装形式:Tube
封装形式:I2PAK
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.16 Ohms
漏极连续电流:21 A
闸/源击穿电压:+/- 25 V
汲极/源极击穿电压:600 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:STMicroelectronics

以上是STI25NM60ND的详细信息,包括STI25NM60ND厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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