STGW30NB60H

厂家：: STMicroelectronics
封装：: TO-247-3
数量：: 369
说明：: IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 30 Amp

一、本商品被浏览0次.

STGW30NB60H PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：30
安装风格：Through Hole
最小工作温度：- 65 C
集电极最大连续电流 Ic：60 A
包装形式：Tube
封装形式：TO-247-3
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：190 W
栅极—射极漏泄电流：100 nA
在25 C的连续集电极电流：60 A
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
集电极—射极饱和电压：2.2 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
配置：Single
RoHS：否
产品种类：IGBT 晶体管
制造商：STMicroelectronics

以上是STGW30NB60H的详细信息，包括STGW30NB60H厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET 开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

IGBT 晶体管最新产品：