STGP20M65DF2

厂家：: STMicroelectronics
封装：: TO-220
数量：: 6948
说明：: IGBT TRENCH 650V 40A TO220

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STGP20M65DF2 PDF参数资料

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中文参数如下：
封装封装/外壳：TO-220-3
安装类型：通孔
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
反向恢复时间 (trr)：166 ns
测试条件：400V，20A，12 欧姆，15V
25°C 时 Td（开/关）值：26ns/108ns
栅极电荷：63 nC
输入类型：标准
开关能量：140μJ（开），560μJ（关）
功率 - 最大值：166 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，20A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：80 A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：40 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
IGBT 类型：沟槽型场截止
产品状态：在售
包装：M
系列：管件
品牌：STMicroelectronics

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