点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
功率耗散:20 W
栅极电荷 Qg:12 nC
包装形式:Tube
封装形式:TO-220FP
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.9 Ohm
漏极连续电流:5 A
汲极/源极击穿电压:600 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
以上是STF7NM60N的详细信息,包括STF7NM60N厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!