STD616AT4

厂家：: STMicroelectronics
封装：: TO-252
数量：: 6147
说明：: 两极晶体管 - BJT Hi Vltg NPN Pwr Transistor

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STD616AT4 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：2500
包装形式：Reel
最小工作温度：- 65 C
最大功率耗散：20000 mW
封装形式：TO-252
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：17
最大直流电集电极电流：1.6 A
发射极 - 基极电压 VEBO：12 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：450 V
集电极—基极电压 VCBO：1000 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：STMicroelectronics

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