点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
典型关闭延迟时间:25 ns
上升时间:15 ns
功率耗散:60 W
栅极电荷 Qg:25 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :1.5 V
下降时间:6 ns
包装形式:Reel
封装形式:TO-252
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):8.5 mOhms
漏极连续电流:55 A
汲极/源极击穿电压:40 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
以上是STD55N4F5的详细信息,包括STD55N4F5厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!