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STD10P6F6

厂家：
  STMicroelectronics
封装：
 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
数量：
 7110  
说明：
 MOSFET P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGate
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STD10P6F6 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：16.5 ns
上升时间：7 ns
功率耗散：35 W
栅极电荷 Qg：7 nC
下降时间：10 ns
包装形式：Reel
封装形式：D2PAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.18 Ohms
漏极连续电流：10 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
制造商：STMicroelectronics

以上是STD10P6F6的详细信息，包括STD10P6F6厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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