STD100N3LF3

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：31 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：205 ns
功率耗散：110 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：35 ns
包装形式：Reel
封装形式：DPAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0055 Ohms
漏极连续电流：80 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

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