STB6N52K3

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中文参数如下：

上升时间：11 ns
功率耗散：70 W
栅极电荷 Qg：26 nC
下降时间：18 ns
包装形式：Reel
封装形式：D2PAK
安装风格：SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1 Ohms
漏极连续电流：5 A
闸/源击穿电压：30 V
汲极/源极击穿电压：525 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

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