STB200NF04-1

厂家:
  STMicroelectronics
封装:
 TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA
数量:
 5616  
说明:
 MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
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中文参数如下:
FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.7 毫欧 @ 90A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)40V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs210nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C120A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 5100pF @ 25V
功率 - 最大310W
安装类型通孔

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