SPI21N10

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA
数量:
 2763  
说明:
 MOSFET N-CH 100 V 21 A
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SPI21N10 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:37 ns
工厂包装数量:500
上升时间:56 ns
功率耗散:90 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :12.4 S / 6.5 S
下降时间:23 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-262
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):80 m Ohms
漏极连续电流:21 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:100 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Infineon

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