SPB77N06S2-12

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
数量：: 1242
说明：: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK

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中文参数如下：
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C12 毫欧 @ 38A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)55V
Id 时的 Vgs(th)（最大）4V @ 93µA
闸电荷(Qg) @ Vgs60nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C80A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 2350pF @ 25V
功率 - 最大158W
安装类型表面贴装

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