首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > 两极晶体管 - BJT > SNSS20101JT1G

SNSS20101JT1G

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 SC-89-3
数量：
 2286  
说明：
 两极晶体管 - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT)
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
SNSS20101JT1G-SC-89-3图片

SNSS20101JT1G PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
供应商器件：
封装封装/外壳：SC-89，SOT-490
安装类型：表面贴装型
工作温度：-
频率 - 跃迁：350MHz
功率 - 最大值：225 mW
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：200 @ 100mA，2V
电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：220mV @ 100mA，1A
电压 - 集射极击穿（最大值）：20 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A
晶体管类型：NPN
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）
品牌：onsemi

以上是SNSS20101JT1G的详细信息，包括SNSS20101JT1G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器   IGBT 模块  

两极晶体管 - BJT 最新产品：

  • DTC114EE-TP
  • DTB113ZCHZGT116
  • DTA114YCAT116
  • DTA143ZCAT116
  • DTA115ECAT116
  • RN1105,LF(CT
  • DTC123YCAT116
  • DTC143ECAT116
  • DTC113ZEBTL
  • DTC123EEBTL

    • 相近型号推荐

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC