SISS70DN-T1-GE3

厂家:
  Vishay Siliconix
封装:
 PowerPAK? 1212-8S
数量:
 3762  
说明:
 MOSFET N-CH 125V 8.5A/31A PPAK
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SISS70DN-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:
封装:PowerPAK? 1212-8S
封装/外壳:PowerPAK? 1212-8S
安装类型:表面贴装型
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
同步整流器:5.1W(Ta),65.8W(Tc)
频率 - 开关:-
电流 - 输出:535 pF @ 62.5 V
电压 - 输出(最大值):±20V
电压 - 输出(最小值/固定):15.3 nC @ 10 V
电压 - 输入(最大值):4.5V @ 250μA
电压 - 输入(最小值):29.8 毫欧 @ 8.5A,10V
输出数:10V
输出类型:8.5A(Ta),31A(Tc)
拓扑:125 V
输出配置:MOSFET(金属氧化物)
功能:N 通道
产品状态:在售
包装:TrenchFET?
系列:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌:Vishay Siliconix

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