SIS606BDN-T1-GE3

厂家:
  Vishay Siliconix
封装:
 PowerPAK? 1212-8
数量:
 10527  
说明:
 MOSFET N-CH 100V 9.4A/35.3A PPAK
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SIS606BDN-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:
封装:PowerPAK? 1212-8
封装/外壳:PowerPAK? 1212-8
安装类型:表面贴装型
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
同步整流器:3.7W(Ta),52W(Tc)
频率 - 开关:-
电流 - 输出:1470 pF @ 50 V
电压 - 输出(最大值):±20V
电压 - 输出(最小值/固定):30 nC @ 10 V
电压 - 输入(最大值):4V @ 250μA
电压 - 输入(最小值):17.4 毫欧 @ 10A,10V
输出数:7.5V,10V
输出类型:9.4A(Ta),35.3A(Tc)
拓扑:100 V
输出配置:MOSFET(金属氧化物)
功能:N 通道
产品状态:在售
包装:TrenchFET? Gen IV
系列:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌:Vishay Siliconix

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