SIR606BDP-T1-RE3

厂家：: Vishay Siliconix
封装：: PowerPAK? SO-8
数量：: 4184
说明：: MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK

一、本商品被浏览0次.

SIR606BDP-T1-RE3 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
封装：PowerPAK? SO-8
封装/外壳：PowerPAK? SO-8
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
同步整流器：5W（Ta），62.5W（Tc）
频率 - 开关：-
电流 - 输出：1470 pF @ 50 V
电压 - 输出（最大值）：±20V
电压 - 输出（最小值/固定）：30 nC @ 10 V
电压 - 输入（最大值）：4V @ 250μA
电压 - 输入（最小值）：17.4 毫欧 @ 10A，10V
输出数：7.5V，10V
输出类型：10.9A（Ta），38.7A（Tc）
拓扑：100 V
输出配置：MOSFET（金属氧化物）
功能：N 通道
产品状态：在售
包装：TrenchFET? Gen IV
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Vishay Siliconix

以上是SIR606BDP-T1-RE3的详细信息，包括SIR606BDP-T1-RE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他电源管理 IC产品：

软开关 PWM 控制器低压差控制器 - LDO 反馈回路功率控制器功率因数校正 IC 电压模式 PWM 控制器

开关变换器、稳压器与控制器最新产品：