SIR112DP-T1-RE3

厂家：: Vishay Siliconix
封装：: PowerPAK? SO-8
数量：: 3861
说明：: MOSFET N-CH 40V 37.6A/133A PPAK

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SIR112DP-T1-RE3 PDF参数资料

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中文参数如下：
封装：PowerPAK? SO-8
封装/外壳：PowerPAK? SO-8
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
同步整流器：5W（Ta），62.5W（Tc）
频率 - 开关：-
电流 - 输出：4270 pF @ 20 V
电压 - 输出（最大值）：+20V，-16V
电压 - 输出（最小值/固定）：89 nC @ 10 V
电压 - 输入（最大值）：2.4V @ 250μA
电压 - 输入（最小值）：1.96 毫欧 @ 10A，10V
输出数：4.5V，10V
输出类型：37.6A（Ta），133A（Tc）
拓扑：40 V
输出配置：MOSFET（金属氧化物）
功能：N 通道
产品状态：在售
包装：TrenchFET? Gen IV
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Vishay Siliconix

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