SI8461DB-T2-E1

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 4-XFBGA，CSPBGA
数量：: 729
说明：: MOSFET 20V 3.7A 1.8W 100mohm @ 4.5V

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SI8461DB-T2-E1 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：35 ns
上升时间：25 ns
功率耗散：1.8 W
最小工作温度：- 40 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：7 S
下降时间：10 ns
包装形式：Reel
封装形式：Micro Foot-4
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 85 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.136 Ohms
漏极连续电流：- 3.7 A
汲极/源极击穿电压：- 20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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