SI8409DB-T1-E1

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 4-XFBGA，CSPBGA
数量：: 648
说明：: MOSFET 30V 5.3A

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SI8409DB-T1-E1 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI8409DB-E1
典型关闭延迟时间：140 ns
商标名：TrenchFET/MICRO FOOT
工厂包装数量：3000
上升时间：35 ns
功率耗散：1.47 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：6.4 S
下降时间：35 ns
包装形式：Reel
封装形式：Micro Foot-4
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.052 Ohms
漏极连续电流：- 3.6 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：- 30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI8409DB-T1-E1的详细信息，包括SI8409DB-T1-E1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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