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SI7858BDP-T1-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 PowerPAK? SO-8
数量：
 8523  
说明：
 MOSFET N-CH 8-SOIC
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SI7858BDP-T1-GE3-PowerPAK? SO-8图片

SI7858BDP-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：2.5 毫欧 @ 15A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)：12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：40A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：84nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：5760pF @ 6V
功率 - 最大：48W
安装类型：表面贴装

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