SI7686DP-T1-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 PowerPAK SO-8
数量:
 13013  
说明:
 MOSFET 30V 35A 37.9W 9.5mohm @ 10V
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SI7686DP-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:
零件号别名:SI7686DP-GE3
典型关闭延迟时间:20 ns, 23 ns
工厂包装数量:3000
上升时间:20 ns, 16 ns
功率耗散:5 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:8 ns
包装形式:Reel
封装形式:PowerPAK SO-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):9.5 mOhms
漏极连续电流:17.9 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI7686DP-T1-GE3的详细信息,包括SI7686DP-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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