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中文参数如下:
零件号别名:SI7115DN-E3
典型关闭延迟时间:38 ns, 52 ns
工厂包装数量:3000
上升时间:95 ns, 28 ns
功率耗散:3.7 W
最小工作温度:- 50 C
下降时间:34 ns, 35 ns
包装形式:Reel
封装形式:PowerPAK 1212-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):295 mOhms
漏极连续电流:2.3 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:150 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay
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