SI7106DN-T1-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? 1212-8
数量：: 94805
说明：: MOSFET 20V 19.5A 0.0062Ohm

一、本商品被浏览0次.

SI7106DN-T1-E3 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：SI7106DN-E3
典型关闭延迟时间：50 ns
商标名：TrenchFET/PowerPAK
工厂包装数量：3000
上升时间：15 ns
功率耗散：1.5 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：15 ns
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK 1212-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：6.2 mOhms
漏极连续电流：12.5 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI7106DN-T1-E3的详细信息，包括SI7106DN-T1-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他电源管理 IC产品：

软开关 PWM 控制器低压差控制器 - LDO 反馈回路功率控制器功率因数校正 IC 电压模式 PWM 控制器

开关变换器、稳压器与控制器最新产品：