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中文参数如下:
零件号别名:SI5504BDC-E3
典型关闭延迟时间:10 nS, 10 nS
工厂包装数量:3000
上升时间:12 nS, 10 nS
功率耗散:3.1 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:4.5 nC, 4.5 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :5 S, 3.5 S
下降时间:5 nS, 5 nS
包装形式:Reel
封装形式:1206-8 ChipFET
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.065 Ohms at 10 V, 0.14 Ohms at - 10 V
漏极连续电流:4 A, - 3.7 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:+/- 30 V
晶体管极性:N and P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay
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