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SI5463EDC-T1-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 8-SMD，扁平引线
数量：
 4626  
说明：
 MOSFET 20V 5.1A 2.3W 62mohm @ 4.5V
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SI5463EDC-T1-GE3-8-SMD，扁平引线图片

SI5463EDC-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI5463EDC-GE3
典型关闭延迟时间：1900 ns
工厂包装数量：3000
功率耗散：1.25 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：1206-8 ChipFET
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：62 mOhms
漏极连续电流：3.8 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI5463EDC-T1-GE3的详细信息，包括SI5463EDC-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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