SI4838BDY-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
数量：: 3843
说明：: MOSFET 12V 34A 5.7W 2.7mohm @ 4.5V

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SI4838BDY-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI4838BDY-GE3
典型关闭延迟时间：40 ns, 34 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：12 ns, 92 ns
功率耗散：5.7 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：9 ns, 19 ns
包装形式：Reel
封装形式：SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：2.7 mOhms
漏极连续电流：34 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：12 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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