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SI4835DDY-T1-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
数量：: 9626
说明：: MOSFET 30V 13A 5.6W 18mohm @ 10V

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SI4835DDY-T1-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI4835DDY-E3
典型关闭延迟时间：32 ns, 28 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：13 ns, 100 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：9 ns, 15 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：18 mOhms
漏极连续电流：8.7 A
闸/源击穿电压：+/- 25 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4835DDY-T1-E3的详细信息，包括SI4835DDY-T1-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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