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SI4497DY-T1-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
数量：
 2484  
说明：
 MOSFET -30V 3.3mOhm@10V 36A P-Ch G-III
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SI4497DY-T1-GE3-8-SOIC（0.154

SI4497DY-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI4497DY-GE3
典型关闭延迟时间：115 nS
上升时间：13 nS
功率耗散：7.8 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：90 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：75 S
下降时间：25 nS
包装形式：Reel
封装形式：SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：3.3 mOhms at 10 V
漏极连续电流：- 36 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：- 30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SI4497DY-T1-GE3的详细信息，包括SI4497DY-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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