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SI4463BDY-T1-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
数量：
 2295  
说明：
 MOSFET 20V 13.7A 3.0W 11mohm @ 10V
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SI4463BDY-T1-GE3-8-SOIC（0.154

SI4463BDY-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI4463BDY-GE3
典型关闭延迟时间：115 ns
工厂包装数量：2500
功率耗散：1.5 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：11 mOhms
漏极连续电流：9.8 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4463BDY-T1-GE3的详细信息，包括SI4463BDY-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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