SI4126DY-T1-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
数量:
 2961  
说明:
 MOSFET 30V 39A 7.8W 2.75mohm @ 10V
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SI4126DY-T1-GE3-8-SOIC(0.154

SI4126DY-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:SI4126DY-GE3
典型关闭延迟时间:53 ns
工厂包装数量:2500
上升时间:20 ns
功率耗散:3.5 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :75 S
下降时间:24 ns
包装形式:Reel
封装形式:SOIC-8 Narrow
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.0027 Ohms
漏极连续电流:39 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI4126DY-T1-GE3的详细信息,包括SI4126DY-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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