SI3493BDV-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
数量：: 171
说明：: MOSFET 20V 8.0A 2.97W 27.5mohm @ 4.5V

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SI3493BDV-T1-GE3-SOT-23-6 细型，TSOT-23-6图片

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中文参数如下：

零件号别名：SI3493BDV-GE3
典型关闭延迟时间：75 ns
工厂包装数量：3000
功率耗散：2.08 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：TSOP-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0275 Ohms
漏极连续电流：7 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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