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SI2304DDS-T1-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
数量：
 29268  
说明：
 MOSFET 30V 3.6A 1.7W 60mohm @ 10V
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SI2304DDS-T1-GE3-TO-236-3，SC-59，SOT-23-3图片

SI2304DDS-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI2304DDS-GE3
功率耗散：1.7 W
栅极电荷 Qg：4.5 nC
包装形式：Reel
封装形式：TO-236
安装风格：SMD/SMT
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.049 Ohms
漏极连续电流：3.6 A
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI2304DDS-T1-GE3的详细信息，包括SI2304DDS-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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