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SI2300DS-T1-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
数量：
 6471  
说明：
 MOSFET 30V 3.6A N-CH MOSFET
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SI2300DS-T1-GE3-TO-236-3，SC-59，SOT-23-3图片

SI2300DS-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI2300DS-GE3
功率耗散：1.7 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：6.5 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：13 S
包装形式：Reel
封装形式：TO-236
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.055 Ohms
漏极连续电流：3.6 A
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SI2300DS-T1-GE3的详细信息，包括SI2300DS-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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