SI1443EDH-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
数量：: 5913
说明：: MOSFET -30V 54mOhm@10V 4A P-Ch G-III

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SI1443EDH-T1-GE3-6-TSSOP，SC-88，SOT-363图片

SI1443EDH-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI1443EDH-GE3
典型关闭延迟时间：1800 ns
上升时间：64 ns
功率耗散：2.8 W
栅极电荷 Qg：18.5 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：14 S
下降时间：420 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-363 (SC-70-6)
安装风格：SMD/SMT
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：54 mOhms at 10 V
漏极连续电流：4 A
闸/源击穿电压：12 V
汲极/源极击穿电压：- 30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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