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SGW10N60RUFDTM

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 D2PAK（TO-263）
数量：
 8523  
说明：
 IGBT 晶体管 600V/10A/W/FRD
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SGW10N60RUFDTM-D2PAK（TO-263）图片

SGW10N60RUFDTM PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：800
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 55 C
集电极最大连续电流 Ic：16 A
包装形式：Reel
封装形式：D2PAK-3
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：75 W
栅极—射极漏泄电流：+/- 100 nA
在25 C的连续集电极电流：16 A
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
集电极—射极饱和电压：2.2 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
配置：Single
RoHS：是
产品种类：IGBT 晶体管
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是SGW10N60RUFDTM的详细信息，包括SGW10N60RUFDTM厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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