SGR2N60UFDTM

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-252AA
数量：: 8235
说明：: IGBT 晶体管 Dis High Perf IGBT

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SGR2N60UFDTM PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SGR2N60UFDTM_NL
工厂包装数量：2500
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 55 C
集电极最大连续电流 Ic：2.4 A
包装形式：Reel
封装形式：DPAK-3
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：25 W
栅极—射极漏泄电流：+/- 100 nA
在25 C的连续集电极电流：2.4 A
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
集电极—射极饱和电压：2.1 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
配置：Single
RoHS：是
产品种类：IGBT 晶体管
制造商：Fairchild Semiconductor

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