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SGP13N60UFTU

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-220-3
数量：: 8100
说明：: IGBT 晶体管 Dis High Perf IGBT

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SGP13N60UFTU PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：50
安装风格：Through Hole
最小工作温度：- 55 C
集电极最大连续电流 Ic：13 A
包装形式：Tube
封装形式：TO-220-3
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：60 W
栅极—射极漏泄电流：+/- 100 nA
在25 C的连续集电极电流：13 A
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
集电极—射极饱和电压：2.1 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
配置：Single
RoHS：是
产品种类：IGBT 晶体管
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是SGP13N60UFTU的详细信息，包括SGP13N60UFTU厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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