SGP13N60UFTU

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-220-3
数量:
 8100  
说明:
 IGBT 晶体管 Dis High Perf IGBT
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SGP13N60UFTU-TO-220-3图片

SGP13N60UFTU PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:50
安装风格:Through Hole
最小工作温度:- 55 C
集电极最大连续电流 Ic:13 A
包装形式:Tube
封装形式:TO-220-3
最大工作温度:+ 150 C
功率耗散:60 W
栅极—射极漏泄电流:+/- 100 nA
在25 C的连续集电极电流:13 A
栅极/发射极最大电压:+/- 20 V
集电极—射极饱和电压:2.1 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V
配置:Single
RoHS:是
产品种类:IGBT 晶体管
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是SGP13N60UFTU的详细信息,包括SGP13N60UFTU厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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