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中文参数如下： 工厂包装数量：30 安装风格：Through Hole 最小工作温度：- 55 C 集电极最大连续电流 Ic：40 A 包装形式：Tube 封装形式：TO-3PF-3 最大工作温度：+ 150 C 功率耗散：100 W 栅极—射极漏泄电流：+/- 100 nA 在25 C的连续集电极电流：40 A 栅极/发射极最大电压：+/- 20 V 集电极—射极饱和电压：2.1 V 集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V 配置：Single RoHS：是 产品种类：IGBT 晶体管 制造商：Fairchild Semiconductor
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