SEP8505-002

厂家:
  Honeywell
封装:
 径向
数量:
 2853  
说明:
 红外发射源 GaAs Emitting Diode T-1 Package
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SEP8505-002 PDF参数资料

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中文参数如下:

上升时间:0.7 us
功率额定值:70 mW
照明颜色:Infrared
正向电压:1.5 V
正向电流:20 mA
下降时间:0.7 us
封装形式:T-1
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 125 C
射束角:15 deg
波长:935 nm
RoHS:是
产品种类:红外发射源
制造商:Honeywell

以上是SEP8505-002的详细信息,包括SEP8505-002厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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