SE20FGHM3/I

厂家:
  Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封装:
 DO-219AB(SMF)
数量:
 6039  
说明:
 DIODE GEN PURP 400V 1.7A DO219AB
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SE20FGHM3/I PDF参数资料

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中文参数如下:
封装工作温度 - 结封装:DO-219AB(SMF)
封装/外壳:DO-219AB
安装类型:表面贴装型
不同?Vr、F 时电容:13pF @ 4V,1MHz
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 μA @ 400 V
反向恢复时间 (trr):920 ns
速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 2 A
电流 - 平均整流 (Io):1.7A
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V
技术:标准
产品状态:在售
包装:Automotive, AEC-Q101
系列:卷带(TR),剪切带(CT)
品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division

以上是SE20FGHM3/I的详细信息,包括SE20FGHM3/I厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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