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SE20FGHM3/I

厂家：
  Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封装：
 DO-219AB（SMF）
数量：
 6039  
说明：
 DIODE GEN PURP 400V 1.7A DO219AB
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SE20FGHM3/I PDF参数资料

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中文参数如下：
封装工作温度 - 结封装：DO-219AB（SMF）
封装/外壳：DO-219AB
安装类型：表面贴装型
不同?Vr、F 时电容：13pF @ 4V，1MHz
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 μA @ 400 V
反向恢复时间 (trr)：920 ns
速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.1 V @ 2 A
电流 - 平均整流 (Io)：1.7A
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：400 V
技术：标准
产品状态：在售
包装：Automotive, AEC-Q101
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）
品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

以上是SE20FGHM3/I的详细信息，包括SE20FGHM3/I厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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